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H11D2M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	HighVoltagePhototransistorOptocouplers GeneralDescription The4N38M,H11DXMandMOC8204Marephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AgalliumarsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindual-in-linepackage. Fea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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H11D2M	文件：228.9 Kbytes Page：9 Pages	HighVoltagePhototransistorOptocouplers GeneralDescription The4N38M,H11DXMandMOC8204Marephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AgalliumarsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindual-in-linepackage. Fea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D2S	文件：382.03 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEPHOTOTRANSISTOROPTOCOUPLERS DESCRIPTION TheH11DXand4N38arephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AninfraredemittingdiodemanufacturedfromspeciallygrowngalliumarsenideisselectivelycoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindua	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D2SD	文件：382.03 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEPHOTOTRANSISTOROPTOCOUPLERS DESCRIPTION TheH11DXand4N38arephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AninfraredemittingdiodemanufacturedfromspeciallygrowngalliumarsenideisselectivelycoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindua	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D2W	文件：382.03 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEPHOTOTRANSISTOROPTOCOUPLERS DESCRIPTION TheH11DXand4N38arephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AninfraredemittingdiodemanufacturedfromspeciallygrowngalliumarsenideisselectivelycoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindua	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D2X	文件：78.54 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGEOPTICALLYCOUPLEDISOLATORPHOTOTRANSISTOROUTPUT DESCRIPTION TheH11DseriesofopticallycoupledisolatorsconsistofinfraredlightemittingdiodeandNPNsiliconphototransistorinastandard6pindualinlineplasticpackage. FEATURES Options:- 10mmleadspread-addGafterpartno. Surfacemount-addSMafterpart	ISOCOMISOCOM COMPONENTS 英国安数光	ISOCOM
KUWTN-11D2	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KUWTN-11D2SLASHQ	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

详细参数

型号：
H11D2_Q
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 DIP-6 HV PHOTO TRAN
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多H11D2_Q供应商更新时间2020-4-2 17:49:00

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