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H11D2S	文件：382.03 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS DESCRIPTION The H11DX and 4N38 are phototransistor-type optically coupled optoisolators. An infrared emitting diode manufactured from specially grown gallium arsenide is selectively coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dua 文件：382.03 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D2SD	文件：382.03 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS DESCRIPTION The H11DX and 4N38 are phototransistor-type optically coupled optoisolators. An infrared emitting diode manufactured from specially grown gallium arsenide is selectively coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dua 文件：382.03 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D2W	文件：382.03 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS DESCRIPTION The H11DX and 4N38 are phototransistor-type optically coupled optoisolators. An infrared emitting diode manufactured from specially grown gallium arsenide is selectively coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dua 文件：382.03 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D2X	文件：78.54 Kbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE OPTICALLY COUPLED ISOLATOR PHOTOTRANSISTOR OUTPUT DESCRIPTION The H11D series of optically coupled isolators consist of infrared light emitting diode and NPN silicon photo transistor in a standard 6 pin dual in line plastic package. FEATURES Options :- 10mm lead spread - add G after part no. Surface mount - add SM after part 文件：78.54 Kbytes 页数：3 Pages	ISOCOM 英国安数光	ISOCOM
KUWTN-11D2	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-in Signal Conditioners K-UNIT 文件：157.46 Kbytes 页数：6 Pages	MSYSTEM 爱模	MSYSTEM

详细参数

型号：
H11D2S
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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更多H11D2S供应商更新时间2020-4-2 17:49:00

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