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H11D1VM规格书详情
Description
The 4N38M, H11D1M, H11D3M and MOC8204M are
phototransistor−type optically coupled optoisolators. A gallium
arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN
silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic
six−pin dual−in−line package.
Features
• High Voltage:
♦ MOC8204M, BVCEO = 400 V
♦ H11D1M, BVCEO = 300 V
♦ H11D3M, BVCEO = 200 V
• Safety and Regulatory Approvals:
♦ UL1577, 4,170 VACRMS for 1 Minute
• DIN−EN/IEC60747−5−5, 850 V Peak Working Insulation Voltage
Applications
• Power Supply Regulators
• Digital Logic Inputs
• Microprocessor Inputs
• Appliance Sensor Systems
• Industrial Controls
产品属性
- 型号：
H11D1VM
- 功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Phototransistor
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 输入类型：
DC
- 最大集电极/发射极电压：
70 V
- 最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
- 绝缘电压：
5300 Vrms
- 电流传递比：
100 % to 200 %
- 最大正向二极管电压：
1.65 V
- 最大输入二极管电流：
60 mA
- 最大集电极电流：
100 mA
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作温度：
+ 110 C
- 最小工作温度：
- 55 C
- 封装/箱体：
DIP-4
- 封装：
Bulk
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
DIP-6 |
31277 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
12000 |
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询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
6000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
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ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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ON/安森美 |
23+ |
SMD |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
DIP-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
2021+ |
DIP 6-Pin |
499 |
询价 |
