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H11D1SR2M中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

H11D1SR2M

功能描述

High Voltage Phototransistor Optocouplers

文件大小

249.16 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-21 18:33:00

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H11D1SR2M规格书详情

General Description

The 4N38M, H11DXM and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.

特性 Features

■ High voltage:

– MOC8204M, BVCER = 400V

– H11D1M, H11D2M, BVCER = 300V

– H11D3M, BVCER = 200V

■ High isolation voltage:

– 7500 VAC peak, 1 second

■ Underwriters Laboratory (UL) recognized File # E90700, Volume 2

■ IEC 60747-5-2 approved (ordering option V)

Applications

■ Power supply regulators

■ Digital logic inputs

■ Microprocessor inputs

■ Appliance sensor systems

■ Industrial controls

产品属性

  • 型号:

    H11D1SR2M

  • 功能描述:

    晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Phototrans

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型:

    DC

  • 最大集电极/发射极电压:

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压:

    0.4 V

  • 绝缘电压:

    5300 Vrms

  • 电流传递比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压:

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流:

    60 mA

  • 最大集电极电流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作温度:

    + 110 C

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 封装/箱体:

    DIP-4

  • 封装:

    Bulk

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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