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H11D1SR2M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers General Description The 4N38M, H11DXM and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package. Fea 文件：249.16 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D1SR2M	文件：339.94 Kbytes Page：10 Pages	6-Pin DIP High Voltage Phototransistor Optocouplers Description The 4N38M, H11D1M, H11D3M and MOC8204M are phototransistor−type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six−pin dual−in−line package. Fea 文件：339.94 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
H11D1SR2VM	文件：339.94 Kbytes Page：10 Pages	6-Pin DIP High Voltage Phototransistor Optocouplers Description The 4N38M, H11D1M, H11D3M and MOC8204M are phototransistor−type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six−pin dual−in−line package. Fea 文件：339.94 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
H11D1SR2M
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Phototrans
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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