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11D3L	文件：1.85659 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
H11D3	文件：382.03 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEPHOTOTRANSISTOROPTOCOUPLERS DESCRIPTION TheH11DXand4N38arephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AninfraredemittingdiodemanufacturedfromspeciallygrowngalliumarsenideisselectivelycoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindua	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D3	文件：78.54 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGEOPTICALLYCOUPLEDISOLATORPHOTOTRANSISTOROUTPUT DESCRIPTION TheH11DseriesofopticallycoupledisolatorsconsistofinfraredlightemittingdiodeandNPNsiliconphototransistorinastandard6pindualinlineplasticpackage. FEATURES Options:- 10mmleadspread-addGafterpartno. Surfacemount-addSMafterpart	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
H11D3	文件：120.43 Kbytes Page：8 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,WithBaseConnection,HighBVCERVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
H11D3	文件：196.48 Kbytes Page：10 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,WithBaseConnection,HighBVCEOVoltage DESCRIPTION TheH11DxhasaGaAsinfraredemittingdiodeemitter, whichisopticallycoupledtoasiliconplanarphototransistor detector,andisincorporatedinaplasticDIP-6package. Itfeaturesahighcurrenttransferratio,lowcoupling capacitance,andhighisolationvoltage. Thecoup	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
H11D3	文件：196.19 Kbytes Page：10 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,WithBaseConnection,HighBVCEOVoltage FEATURES •Veryhighcollectoremitterbreakdownvoltage BVCEO=300V •Isolationtestvoltage:5000VRMS •Lowcouplingcapacitance •Highcommonmodetransientimmunity •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 AGENCYAPPROVALS •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
H11D3M	文件：339.94 Kbytes Page：10 Pages	6-PinDIPHighVoltagePhototransistorOptocouplers Description The4N38M,H11D1M,H11D3MandMOC8204Mare phototransistor−typeopticallycoupledoptoisolators.Agallium arsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPN siliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplastic six−pindual−in−linepackage. Fea	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
H11D3M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	HighVoltagePhototransistorOptocouplers GeneralDescription The4N38M,H11DXMandMOC8204Marephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AgalliumarsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindual-in-linepackage. Fea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D3M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	HighVoltagePhototransistorOptocouplers GeneralDescription The4N38M,H11DXMandMOC8204Marephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AgalliumarsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindual-in-linepackage. Fea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D3M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	HighVoltagePhototransistorOptocouplers GeneralDescription The4N38M,H11DXMandMOC8204Marephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AgalliumarsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindual-in-linepackage. Fea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
H11D3S_Q
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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