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EP11D1ABE	文件：439.76 Kbytes Page：6 Pages	SealedTinyPushbuttonSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
H11D1	文件：382.03 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEPHOTOTRANSISTOROPTOCOUPLERS DESCRIPTION TheH11DXand4N38arephototransistor-typeopticallycoupledoptoisolators.AninfraredemittingdiodemanufacturedfromspeciallygrowngalliumarsenideisselectivelycoupledwithahighvoltageNPNsiliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplasticsix-pindua	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11D1	文件：282.85 Kbytes Page：6 Pages	6-PinDIPOptoisolatorsHighVoltageTransistorOutput(300Volts) TheH11D1andH11D2consistofgalliumarsenideinfraredemittingdiodesopticallycoupledtohighvoltage,silicon,phototransistordetectorsinastandard6–pinDIPpackage.Theyaredesignedforhighvoltageapplicationsandareparticularlyusefulincopymachinesandsolidstaterelays.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
H11D1	文件：196.19 Kbytes Page：10 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,WithBaseConnection,HighBVCEOVoltage FEATURES •Veryhighcollectoremitterbreakdownvoltage BVCEO=300V •Isolationtestvoltage:5000VRMS •Lowcouplingcapacitance •Highcommonmodetransientimmunity •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 AGENCYAPPROVALS •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
H11D1	文件：78.54 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGEOPTICALLYCOUPLEDISOLATORPHOTOTRANSISTOROUTPUT DESCRIPTION TheH11DseriesofopticallycoupledisolatorsconsistofinfraredlightemittingdiodeandNPNsiliconphototransistorinastandard6pindualinlineplasticpackage. FEATURES Options:- 10mmleadspread-addGafterpartno. Surfacemount-addSMafterpart	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
H11D1	文件：120.43 Kbytes Page：8 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,WithBaseConnection,HighBVCERVoltage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
H11D1	文件：196.8 Kbytes Page：9 Pages	PropertyofLite-OnOnly FEATURES Currenttransferratio (CTR:MIN.20atIF=10mA,VCE=10V) Highisolationvoleagebetweeninputandoutput (Viso=5,000Vrms) VeryHighcollector-emitterbreakdownvoltage (BVCER=300V) Dual-in-linepackage: H11D1:1-channeltype	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
H11D1	文件：196.48 Kbytes Page：10 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,WithBaseConnection,HighBVCEOVoltage DESCRIPTION TheH11DxhasaGaAsinfraredemittingdiodeemitter, whichisopticallycoupledtoasiliconplanarphototransistor detector,andisincorporatedinaplasticDIP-6package. Itfeaturesahighcurrenttransferratio,lowcoupling capacitance,andhighisolationvoltage. Thecoup	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
H11D1M	文件：196.8 Kbytes Page：9 Pages	PropertyofLite-OnOnly FEATURES Currenttransferratio (CTR:MIN.20atIF=10mA,VCE=10V) Highisolationvoleagebetweeninputandoutput (Viso=5,000Vrms) VeryHighcollector-emitterbreakdownvoltage (BVCER=300V) Dual-in-linepackage: H11D1:1-channeltype	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
H11D1M	文件：339.94 Kbytes Page：10 Pages	6-PinDIPHighVoltagePhototransistorOptocouplers Description The4N38M,H11D1M,H11D3MandMOC8204Mare phototransistor−typeopticallycoupledoptoisolators.Agallium arsenideinfraredemittingdiodeiscoupledwithahighvoltageNPN siliconphototransistor.Thedeviceissuppliedinastandardplastic six−pindual−in−linepackage. Fea	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
H11D1TM
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Phototrans
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多H11D1TM供应商更新时间2020-4-2 17:49:00

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