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H11D3M	文件：228.9 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers General Description The 4N38M, H11DXM and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package. Fea 文件：228.9 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
H11D3M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers General Description The 4N38M, H11DXM and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package. Fea 文件：249.16 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
H11D3M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers General Description The 4N38M, H11DXM and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package. Fea 文件：249.16 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
H11D3M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers General Description The 4N38M, H11DXM and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package. Fea 文件：249.16 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
H11D3M	文件：249.16 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage Phototransistor Optocouplers General Description The 4N38M, H11DXM and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package. Fea 文件：249.16 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
H11D3M	文件：339.94 Kbytes Page：10 Pages	6-Pin DIP High Voltage Phototransistor Optocouplers Description The 4N38M, H11D1M, H11D3M and MOC8204M are phototransistor−type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six−pin dual−in−line package. Fea 文件：339.94 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
H11D3M	文件：300 bytes Page：1 Pages	6 引脚 DIP 高压光电晶体管输出光耦合器 4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。 • 高电压：\n• MOC8204M, BVCEO= 400 V\n• H11D1M, BVCEO= 300 V\n• H11D3M, BVCEO= 200 V\n• 安全和法规认证：\n• UL1577，4170 VACRMS（1 分钟）\n• DIN-EN/IEC60747-5-5，850 V 峰值工作绝缘电压;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channels：
1
CTR (Min) (%)：
20
CTR tested @ IF (mA)：
10
VCE(sat) (Max) (V)：
0.4
BVCEO (Min) (V)：
200
BVCBO (Min) (V)：
200
BVECO (Min) (V)：
7
ton (Max) (µs)：
5
toff (Max) (µs)：
5
VISO (Min) (V)：
4200
TOPR (Min) (°C)：
-40
TOPR (Max) (°C)：
100
Package Type：
PDIP-6

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