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H11D3M中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

H11D3M

功能描述

6-Pin DIP High Voltage Phototransistor Optocouplers

文件大小

339.94 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-5 18:00:00

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H11D3M规格书详情

描述 Description

The 4N38M, H11D1M, H11D3M and MOC8204M are

phototransistor−type optically coupled optoisolators. A gallium

arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN

silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic

six−pin dual−in−line package.

特性 Features

• High Voltage:

♦ MOC8204M, BVCEO = 400 V

♦ H11D1M, BVCEO = 300 V

♦ H11D3M, BVCEO = 200 V

• Safety and Regulatory Approvals:

♦ UL1577, 4,170 VACRMS for 1 Minute

• DIN−EN/IEC60747−5−5, 850 V Peak Working Insulation Voltage

Applications

• Power Supply Regulators

• Digital Logic Inputs

• Microprocessor Inputs

• Appliance Sensor Systems

• Industrial Controls

产品属性

  • 型号:

    H11D3M

  • 功能描述:

    晶体管输出光电耦合器 Hi Volt Phototrans

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型:

    DC

  • 最大集电极/发射极电压:

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压:

    0.4 V

  • 绝缘电压:

    5300 Vrms

  • 电流传递比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压:

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流:

    60 mA

  • 最大集电极电流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作温度:

    + 110 C

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 封装/箱体:

    DIP-4

  • 封装:

    Bulk

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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