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H11D2S中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

H11D2S
厂商型号

H11D2S

功能描述

HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS

文件大小

382.03 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-28 19:39:00

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H11D2S规格书详情

DESCRIPTION

The H11DX and 4N38 are phototransistor-type optically coupled optoisolators. An infrared emitting diode manufactured from specially grown gallium arsenide is selectively coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.

FEATURES

• High Voltage

- H11D1, H11D2, BVCER = 300 V

- H11D3, H11D4, BVCER = 200 V

• High isolation voltage

- 5300 VAC RMS - 1 minute

- 7500 VAC PEAK - 1 minute

• Underwriters Laboratory (UL) recognized File# E90700

APPLICATIONS

• Power supply regulators

• Digital logic inputs

• Microprocessor inputs

• Appliance sensor systems

• Industrial controls

产品属性

  • 型号:

    H11D2S

  • 功能描述:

    晶体管输出光电耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型:

    DC

  • 最大集电极/发射极电压:

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压:

    0.4 V

  • 绝缘电压:

    5300 Vrms

  • 电流传递比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压:

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流:

    60 mA

  • 最大集电极电流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作温度:

    + 110 C

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 封装/箱体:

    DIP-4

  • 封装:

    Bulk

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