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H11D2-X007

Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection, High BVCEO Voltage

FEATURES • Very high collector emitter breakdown voltage BVCEO = 300 V • Isolation test voltage: 5000 VRMS • Low coupling capacitance • High common mode transient immunity • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 AGENCY APPROVALS •

文件:196.19 Kbytes 页数:10 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

H11D2-X007

Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection, High BVCER Voltage

文件:120.43 Kbytes 页数:8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

H11D2-X007

晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 20%

Vishay

威世科技

H11G2SM

ON/安森美
SMD

ON/安森美

H11G2SR2M

ON/安森美
SMD

ON/安森美

详细参数

  • 型号:

    H11D2-X007

  • 功能描述:

    晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 20%

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型:

    DC

  • 最大集电极/发射极电压:

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压:

    0.4 V

  • 绝缘电压:

    5300 Vrms

  • 电流传递比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压:

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流:

    60 mA

  • 最大集电极电流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作温度:

    + 110 C

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 封装/箱体:

    DIP-4

  • 封装:

    Bulk

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更多H11D2-X007供应商 更新时间2025-10-5 11:06:00