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GS-065-011-6-LR	文件：865.26 Kbytes Page：17 Pages	700 V E-mode GaN transistor Datasheet Features • 700 V enhancement mode power transistor • 850 V transient drain-to-source voltage • Bottom-cooled, 8x8 mm PDFN package • RDS(on) = 125 mΩ • IDSmax,DC = 12.2 A / IDSmax,Pulse = 20 A • Ultra-low FOM • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive (-20 文件：865.26 Kbytes 页数：17 Pages	GAN	GAN
GS-065-011-6-LR-MR	文件：865.26 Kbytes Page：17 Pages	700 V E-mode GaN transistor Datasheet Features • 700 V enhancement mode power transistor • 850 V transient drain-to-source voltage • Bottom-cooled, 8x8 mm PDFN package • RDS(on) = 125 mΩ • IDSmax,DC = 12.2 A / IDSmax,Pulse = 20 A • Ultra-low FOM • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive (-20 文件：865.26 Kbytes 页数：17 Pages	GAN	GAN
GS-065-011-6-LR-TR	文件：865.26 Kbytes Page：17 Pages	700 V E-mode GaN transistor Datasheet Features • 700 V enhancement mode power transistor • 850 V transient drain-to-source voltage • Bottom-cooled, 8x8 mm PDFN package • RDS(on) = 125 mΩ • IDSmax,DC = 12.2 A / IDSmax,Pulse = 20 A • Ultra-low FOM • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive (-20 文件：865.26 Kbytes 页数：17 Pages	GAN	GAN
GS-065-014-6-L	文件：816.2 Kbytes Page：16 Pages	700 V E-mode GaN transistor Datasheet Features • 700 V enhancement mode power transistor • 850 V transient drain-to-source voltage • Bottom-cooled, small 5x6 mm PDFN package • RDS(on) = 95 mΩ • IDSmax,DC = 15.2 A / IDSmax,Pulse = 25 A • Ultra-low FOM • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive 文件：816.2 Kbytes 页数：16 Pages	GAN	GAN
GS-065-014-6-L-MR	文件：816.2 Kbytes Page：16 Pages	700 V E-mode GaN transistor Datasheet Features • 700 V enhancement mode power transistor • 850 V transient drain-to-source voltage • Bottom-cooled, small 5x6 mm PDFN package • RDS(on) = 95 mΩ • IDSmax,DC = 15.2 A / IDSmax,Pulse = 25 A • Ultra-low FOM • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive 文件：816.2 Kbytes 页数：16 Pages	GAN	GAN
GS-065-014-6-LR	文件：842.58 Kbytes Page：17 Pages	700 V E-mode GaN transistor Datasheet Features • 700 V enhancement mode power transistor • 850 V transient drain-to-source voltage • Bottom-cooled, small 8x8 mm PDFN package • RDS(on) = 95 mΩ • IDSmax,DC = 15.2 A / IDSmax,Pulse = 25 A • Ultra-low FOM • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive 文件：842.58 Kbytes 页数：17 Pages	GAN	GAN
GS-065-014-6-LR-MR	文件：842.58 Kbytes Page：17 Pages	700 V E-mode GaN transistor Datasheet Features • 700 V enhancement mode power transistor • 850 V transient drain-to-source voltage • Bottom-cooled, small 8x8 mm PDFN package • RDS(on) = 95 mΩ • IDSmax,DC = 15.2 A / IDSmax,Pulse = 25 A • Ultra-low FOM • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive 文件：842.58 Kbytes 页数：17 Pages	GAN	GAN
GS-065-014-6-LR-TR	文件：842.58 Kbytes Page：17 Pages	700 V E-mode GaN transistor Datasheet Features • 700 V enhancement mode power transistor • 850 V transient drain-to-source voltage • Bottom-cooled, small 8x8 mm PDFN package • RDS(on) = 95 mΩ • IDSmax,DC = 15.2 A / IDSmax,Pulse = 25 A • Ultra-low FOM • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive 文件：842.58 Kbytes 页数：17 Pages	GAN	GAN
GS-065-014-6-L-TR	文件：816.2 Kbytes Page：16 Pages	700 V E-mode GaN transistor Datasheet Features • 700 V enhancement mode power transistor • 850 V transient drain-to-source voltage • Bottom-cooled, small 5x6 mm PDFN package • RDS(on) = 95 mΩ • IDSmax,DC = 15.2 A / IDSmax,Pulse = 25 A • Ultra-low FOM • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive 文件：816.2 Kbytes 页数：16 Pages	GAN	GAN
GS-065-018-2-L	文件：906.84 Kbytes Page：16 Pages	650 V E-mode GaN transistor Features • 650 V enhancement mode power transistor • 850 V transient drain-to-source voltage • Bottom-cooled, 8x8 mm PDFN package • RDS(on) = 78 mΩ • IDSmax,DC = 18 A / IDsmax,Pulse = 35 A • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive (-20 V / +10 V) • High s 文件：906.84 Kbytes 页数：16 Pages	GAN	GAN

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晶体管资料

型号：
GS109
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
15V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,AC192,3AG55A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
C-47
vtest：
15
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0

技术参数

滑钮形状：
矩形柱状
安装方式：
直插
额定电压(DC)：
20V
额定电压(AC)：
20V
工作温度：
-40℃~+85℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿联芯电子科技有限公司	GW	OSRAM/欧司朗	2023+	SMD	70000	十五年行业诚信经营,专注全新正品	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	GW	OSRAM/欧司朗	23+	LED	6000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	GX	SIG	25+	SOT23-6	15000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市维基鸿电子有限公司	GX	XX	25+	QFN16	10000	全新原装现货库存	询价
深圳市中飞凌科技有限公司	GX	XX	26+	QFN16	60000	只有原装,可配单	询价
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更多GS供应商更新时间2026-1-29 15:13:00

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