650 V E-mode GaN transistor

Features • 650 V enhancement mode power transistor • 850 V transient drain-to-source voltage • Bottom-cooled, 8x8 mm PDFN package • RDS(on) = 78 mΩ • IDSmax,DC = 18 A / IDsmax,Pulse = 35 A • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive (-20 V / +10 V) • High s

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GAN

650V增强型氮化镓晶体管

GS-065-018-2-L是增强型硅基氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GS-065-018-2-L是一款底部冷却晶体管，采用 8×8 毫米 PDFN 封装，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

GaN Systems

650 V CoolGaN ™ e-mode 功率晶体管的迷你卷轴选项，可实现极致效率和可靠性

GS-065-018-2-L-MR 是一种增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN的特性允许高电流、高击穿电压和高开关频率。GS-065-018-2-L-MR 是采用 8x8 毫米 PDFN 封装的底部冷却晶体管，可实现现代 USB-C 适配器和充电器或服务器和数据中心应用所需的理想功率耗散。 • E-mode HEMT – 通常处于关闭状态\n• 无反向恢复电荷\n• 低栅极电荷、低输出电荷\n• 符合 JEDEC 标准 (JESD47、JESD22)\n• 零反向恢复损耗\n• 快速、可控的下降和上升时间\n• 符合 RoHS 3(6+4) 标准;

Infineon

英飞凌

SOP-8

原厂

上传：深圳市晨豪科技有限公司

SMD

PANJIT/强茂

上传：深圳市明嘉莱科技有限公司