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GS-065-018-2-L中文资料650V增强型氮化镓晶体管数据手册GaN Systems规格书

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厂商型号

GS-065-018-2-L

功能描述

650V增强型氮化镓晶体管

制造商

GaN Systems

数据手册

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更新时间

2025-9-24 23:01:00

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GS-065-018-2-L规格书详情

描述 Description

GS-065-018-2-L是增强型硅基氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GS-065-018-2-L是一款底部冷却晶体管,采用 8×8 毫米 PDFN 封装,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

应用 Application

• 消费类和工业电源
• 电源适配器
• LED 照明驱动器
• 快速电池充电
• 功率因数校正
• 家电、工业电机驱动器
• 无线电力传输

技术参数

  • 制造商编号

    :GS-065-018-2-L

  • 生产厂家

    :GaN Systems

  • IDS

    :18 A

  • RDS(on)

    :78 mΩ

  • QG

    :4 nC

  • 尺寸(MM)

    :8.0 x 8.0 x 0.9

  • 散热

    :底部

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