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HGB033N10S

丝印:GB033N10S;Package:TO-263;100V N-Ch Power MOSFET

Feature ◇ High Speed Power Switching ◇ Enhanced Body diode dv/dt capability ◇ Enhanced Avalanche Ruggedness ◇ 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇ Lead Free, Halogen Free Application ◇ Synchronous Rectification in SMPS ◇ Hard Switching and High Speed Circuit ◇ Power Tools ◇ UPS ◇ M

文件:967.15 Kbytes 页数:7 Pages

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更多GB033N10S供应商 更新时间2025-9-21 14:01:00