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LM4923LQSLASHNOPB.A	文件：572.28 Kbytes Page：24 Pages	Marking：GB2；Package：WQFN；LM4923 1.1 Watt Fully Differential Audio Power Amplifier With Shutdown Select 1FEATURES 2•FullyDifferentialAmplification •AvailableinSpace-savingWQFNPackage •UltraLowCurrentShutdownMode •CanDriveCapacitiveLoadsupto100pF •ImprovedPop&ClickCircuitryEliminates NoisesDuringTurn-onandTurn-off Transitions •2.4-5.5VOperation •NoOutputC	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
LM4923LQXSLASHNOPB	文件：572.28 Kbytes Page：24 Pages	Marking：GB2；Package：WQFN；LM4923 1.1 Watt Fully Differential Audio Power Amplifier With Shutdown Select 1FEATURES 2•FullyDifferentialAmplification •AvailableinSpace-savingWQFNPackage •UltraLowCurrentShutdownMode •CanDriveCapacitiveLoadsupto100pF •ImprovedPop&ClickCircuitryEliminates NoisesDuringTurn-onandTurn-off Transitions •2.4-5.5VOperation •NoOutputC	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
LM4923LQXSLASHNOPB.A	文件：572.28 Kbytes Page：24 Pages	Marking：GB2；Package：WQFN；LM4923 1.1 Watt Fully Differential Audio Power Amplifier With Shutdown Select 1FEATURES 2•FullyDifferentialAmplification •AvailableinSpace-savingWQFNPackage •UltraLowCurrentShutdownMode •CanDriveCapacitiveLoadsupto100pF •ImprovedPop&ClickCircuitryEliminates NoisesDuringTurn-onandTurn-off Transitions •2.4-5.5VOperation •NoOutputC	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
STGB20NC60V	文件：469.12 Kbytes Page：20 Pages	Marking：GB20NC60V；Package：D2PAK；30 A - 600 V - very fast IGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features •Highfrequencyoperationupto50kHz •LowerCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) •Highcurrentcapa	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGB20N45LZAG	文件：536.15 Kbytes Page：20 Pages	Marking：GB20N45LZ；Package：D2PAK；Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGD20N45LZAG	文件：536.15 Kbytes Page：20 Pages	Marking：GB20N45LZ；Package：DPAK；Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
GB2
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
GB200 - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	GB25FF120K	IR	23+	25A1200V	360	全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势!	询价
深圳市星佑电子有限公司	GB2225	AB	05+	原厂原装	4380	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市凌旭科技有限公司	GB201209H600TT	JKMT	2016+	SMD	4000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	GB25RF120K	IR	24+	模块	6980	原装现货,可开13%税票	询价
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深圳市弘为电子有限公司	GB25XF120K	IR	24+	原厂封装	2000	原装现货假一罚十	询价
深圳市达恩科技有限公司	GB25RF120K	Vishay	24+	NA	3892	进口原装正品优势供应	询价
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更多GB2供应商更新时间2025-7-19 16:31:00

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