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STGD20N45LZAG	文件：536.15 Kbytes Page：20 Pages	Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGD20N45LZAG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：POWER TRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
20N45	文件：60.39 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
CSD20N45	文件：1.5696 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SSH20N45	文件：275.27 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
SSM20N45	文件：289.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STGB20N45LZAG	文件：536.15 Kbytes Page：20 Pages	Automotive-grade450VinternallyclampedIGBTESCIS300mJ	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGD20N45LZAG
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.25V @ 4V，6A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
1.1µs/4.6µs
测试条件：
300V，10A，1 千欧，5V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-PAK（TO-252）
描述：
POWER TRANSISTORS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	STGD20N45LZAG	STMicroelectronics	24+	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	STGD20N45LZAG	ST	23+	DPAK	12500	ST系列在售,可接长单	询价
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