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GB3NC120HD	文件：769.83 Kbytes Page：16 Pages	型号：STGB3NC120HDT4；Package：D2PAK；7 A, 1200 V very fast IGBT with ultrafast diode Description ThishighvoltageandveryfastIGBTshowsan excellenttrade-offbetweenlowconductionlosses andfastswitchingperformance.Itisdesignedin PowerMESH™technologycombinedwithhigh voltageultrafastdiode. Features ■Highvoltagecapability ■Highspeed ■Verysoftult	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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GB3NC120HD

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Page：16 Pages

型号：STGB3NC120HDT4；Package：D2PAK；7 A, 1200 V very fast IGBT with ultrafast diode

Description ThishighvoltageandveryfastIGBTshowsan excellenttrade-offbetweenlowconductionlosses andfastswitchingperformance.Itisdesignedin PowerMESH™technologycombinedwithhigh voltageultrafastdiode. Features ■Highvoltagecapability ■Highspeed ■Verysoftult

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

详细参数

型号：
GB3NC120HD
功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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