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丝印：GB3NC120HD；Package：D2PAK；7 A, 1200 V very fast IGBT with ultrafast diode Description This high voltage and very fast IGBT shows an excellent trade-off between low conduction losses and fast switching performance. It is designed in PowerMESH™ technology combined with high voltage ultrafast diode. Features ■ High voltage capability ■ High speed ■ Very soft ult 文件：769.83 Kbytes 页数：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
详细参数
- 型号：
GB3NC120HD
- 功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-9-21 8:11:00
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