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GB20NC60V	文件：469.12 Kbytes Page：20 Pages	型号：STGB20NC60V；Package：D2PAK；30 A - 600 V - very fast IGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features •Highfrequencyoperationupto50kHz •LowerCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) •Highcurrentcapa	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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GB20NC60V

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型号：STGB20NC60V；Package：D2PAK；30 A - 600 V - very fast IGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features •Highfrequencyoperationupto50kHz •LowerCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) •Highcurrentcapa

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
GB20NC60V
功能描述：
IGBT 晶体管 30 A 600V FAST IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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