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STGD20N45LZAG分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGD20N45LZAG
厂商型号

STGD20N45LZAG

参数属性

STGD20N45LZAG 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:POWER TRANSISTORS

功能描述

Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
POWER TRANSISTORS

文件大小

536.15 Kbytes

页面数量

20

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-23 11:30:00

STGD20N45LZAG规格书详情

STGD20N45LZAG属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGD20N45LZAG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGD20N45LZAG

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.25V @ 4V,6A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    1.1µs/4.6µs

  • 测试条件:

    300V,10A,1 千欧,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    D-PAK(TO-252)

  • 描述:

    POWER TRANSISTORS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STM
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