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|---|---|---|---|---|
GB18N40LZ | 型号：STGB18N40LZT4；Package：D2PAK；Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESHtechnology optimizedforcoildrivingintheharshenvironmentofautomotiveignitionsystems. Thedeviceshowverylowon-statevoltageandveryhighSCISenergycapabilityover awideoperatingtemperaturerange. | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
详细参数
- 型号：
GB18N40LZ
- 功能描述：
IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-263 |
1612 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
NA |
12500 |
只做全新原装公司现货特价 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-263 |
32000 |
ST/意法全新特价STGB18N40LZT4即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
1000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-263 |
10000 |
只做原装,公司现货,提供一站式BOM配单服务! |
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ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
10000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-263 |
15000 |
原装优质现货订货渠道商 |
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ST/意法 |
24+ |
TO263 |
16393 |
原装优势公司现货! |
询价 | ||
ST |
23+ |
D2PAK |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
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ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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更新时间2025-7-31 14:28:00
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