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GB10NB37LZ	文件：751.46 Kbytes Page：15 Pages	型号：STGB10NB37LZ；Package：D2PAK；10 A - 410 V internally clamped IGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thebuiltincollector-gateZenerexhibits averypreciseactiveclampingwhilethegateemitterZenersuppliesanESDprotection. Feat	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
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型号：STGB10NB37LZ；Package：D2PAK；10 A - 410 V internally clamped IGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thebuiltincollector-gateZenerexhibits averypreciseactiveclampingwhilethegateemitterZenersuppliesanESDprotection. Feat

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型号：STGB10NB37LZT4；Package：D2PAK；10 A - 410 V internally clamped IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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详细参数

型号：
GB10NB37LZ
功能描述：
IGBT 晶体管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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