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G6	文件：742.14 Kbytes Page：4 Pages	型号：BZD27C110P；Package：SOD-123FL；Voltage Regulator Diodes Features ◇Silliconplanarzenerdiodes. ◇Lowprofilesurface-mountpackage. ◇Zenerandsurgecurrentspecification ◇Lowleakagecurrent ◇Excellentstability ◇Hightemperaturesolderingguaranteed:265℃/10seconds,atterminals	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
G6	文件：2.05751 Mbytes Page：4 Pages	型号：BZD27C110P；Voltage Regulator Diodes Features ◇Silliconplanarzenerdiodes. ◇Lowprofilesurface-mountpackage. ◇Zenerandsurgecurrentspecification ◇Lowleakagecurrent ◇Excellentstability ◇Hightemperaturesolderingguaranteed:265℃/10seconds,atterminals	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
G6	文件：333.71 Kbytes Page：14 Pages	型号：BZT52H-A7V5；Package：SOD123F；Voltage regulator diodes 1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinanSOD123FsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Totalpowerdissipation:≤830mW •Threetoleranceseries:±1,±2andapproximately±5 •Wideworkingvoltagerange:nominal2.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
G6	文件：314.74 Kbytes Page：14 Pages	型号：BZT52H-A7V5-Q；Package：SOD123F；Voltage regulator diodes 1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinanSOD123FsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Totalpowerdissipation:≤830mW •Threetoleranceseries:±1,±2andapproximately±5 •Wideworkingvoltagerange:nominal2.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
G6	文件：434.32 Kbytes Page：7 Pages	型号：EMG6；Package：SOT-553；NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
G6	文件：72.01 Kbytes Page：2 Pages	型号：EMG6；Package：SOT-553；General purpose (dual digital transistors) Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
G6	文件：71.91 Kbytes Page：3 Pages	型号：EMG6；Package：SOT-553；General purpose (dual digital transistors) Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
G6	文件：71.91 Kbytes Page：3 Pages	型号：FMG6A；Package：SOT-753；General purpose (dual digital transistors) Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
G6	文件：72.01 Kbytes Page：2 Pages	型号：FMG6A；Package：SOT-753；General purpose (dual digital transistors) Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
G6	文件：434.32 Kbytes Page：7 Pages	型号：FMG6A；Package：SOT-753；NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
G6
制造商：
BILIN
制造商全称：
Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
功能描述：
VOLTAGE REGULATOR DIODES

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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