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2SK2158	文件：266 Kbytes Page：8 Pages	Marking：G23；MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNELMOSFET FORHIGH-SPEEDSWITCHING The2SK2158isanN-channelverticaltypeMOSFETfeaturing anoperatingvoltageaslowas1.5V.Becauseitcanbe drivenonalowvoltageanditisnotnecessarytoconsider drivingcurrent,the2SK2158issuitableforuseinlow-voltage portabl	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK2158A-T1B-AT	文件：258.839 Kbytes Page：7 Pages	Marking：G23；Package：SC-59；MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNELMOSFET FORHIGH-SPEEDSWITCHING The2SK2158AisanN-channelverticaltypeMOSFETfeaturinganoperatingvoltageaslowas1.5V.Becauseitcan bedrivenonalowvoltageanditisnotnecessarytoconsiderdrivingcurrent,the2SK2158Aissuitableforuseinlowvoltage portables	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK2158A-T2B-AT	文件：258.839 Kbytes Page：7 Pages	Marking：G23；Package：SC-59；MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNELMOSFET FORHIGH-SPEEDSWITCHING The2SK2158AisanN-channelverticaltypeMOSFETfeaturinganoperatingvoltageaslowas1.5V.Becauseitcan bedrivenonalowvoltageanditisnotnecessarytoconsiderdrivingcurrent,the2SK2158Aissuitableforuseinlowvoltage portables	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
DMG2302U	文件：165.18 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G23；Package：SOT-23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
G2304	文件：814.08 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2304；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2304usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2304A	文件：1.00857 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G2304；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2304Ausesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2305	文件：820.68 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G2305；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2305usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G2305A	文件：1.01209 Mbytes Page：6 Pages	Marking：G2305；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG2305Ausesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G230P06D5	文件：961.58 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G230P06；Package：DFN5X6-8L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG230P06D5usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G230P06F	文件：641.54 Kbytes Page：6 Pages	Marking：G230P06；Package：TO-220F；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheG230P06Fusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD

详细参数

型号：
G23
制造商：
GTM
制造商全称：
GTM
功能描述：
CMOS Positive Voltage Regulator

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市南科功率半导体有限公司	G23	NK/南科功率	2025+	SOT-23	986966	国产	询价
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