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STGYA120M65DF2AG	文件：2.18639 Mbytes Page：14 Pages	丝印：G120M65DF2AG；Package：Max247；Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 120 A, low-loss, M series IGBT in a Max247 long leads package Features • AEC-Q101 qualified • 6 μs of short-circuit withstand time • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 120 A • Tight parameter distribution • Safer paralleling • Positive VCE(sat) temperature coefficient • Low thermal resistance • Soft and very fast recovery antiparallel diode • Maximum j 文件：2.18639 Mbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更多G120M65DF2AG供应商更新时间2025-8-28 17:13:00