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FQU2N60C中文资料功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,1.9 A,4.7 Ω,IPAK数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FQU2N60C

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,1.9 A,4.7 Ω,IPAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:00:00

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FQU2N60C规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

特性 Features

•1.9A, 600V, RDS(on)= 4.7Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 0.95A栅极电荷低(典型值:8.5nC)
•低 Crss(典型值4.3pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant

应用 Application

• 照明

技术参数

  • 制造商编号

    :FQU2N60C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :1.9

  • PD Max (W)

    :44

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4700

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :8.5

  • Ciss Typ (pF)

    :180

  • Package Type

    :IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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