FQT7N10L中文资料功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，100 V，1.7 A，350 mΩ，SOT-223数据手册ONSEMI规格书
FQT7N10L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•1.7A, 100V, RDS(on)= 350mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.85A栅极电荷低（典型值：5.8nC)
•低 Crss（典型值10pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• LED 电视
• 消费型设备
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQT7N10L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：1.7
- PD Max (W)
：2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：350
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4.6
- Ciss Typ (pF)
：220
- Package Type
：SOT-223-4/TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
23+ |
SOT223 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
to-223 |
4017 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT223 |
9880 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
08+ |
SOT-223 |
5000 |
普通 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
12227 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
TI |
22+ |
SOT-223 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
SOT-223 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
VBsemi |
23+ |
SOT223 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2023+ |
TO-223 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 |
