首页>FQT1N60C>规格书详情

FQT1N60C中文资料Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 0.2 A, 11.5 Ω, SOT-223数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

FQT1N60C

功能描述

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 0.2 A, 11.5 Ω, SOT-223

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 9:19:00

人工找货

FQT1N60C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FQT1N60C规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

特性 Features

•0.2A, 600V, RDS(on)= 9.3Ω(典型值)@VGS = 10 V, ID = 0.1A栅极电荷低(典型值:4.8nC)
•低 Crss(典型值3.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant

应用 Application

• 照明

技术参数

  • 制造商编号

    :FQT1N60C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :0.2

  • PD Max (W)

    :2.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :11500

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4.8

  • Ciss Typ (pF)

    :130

  • Package Type

    :SOT-223-4/TO-261-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
2023+
SOT-223
2590
原厂全新正品旗舰店优势现货
询价
ON/安森美
22+
SOT-223
14100
原装正品
询价
FAIRCHILD
16+PBF
SOT-223
15700
现货
询价
FQT1N60CTFWS
3859
3859
询价
FAIRCHILD
25+
SOT-223
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
询价
FAIRCHILD
20+
原装
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
ON/安森美
21+
SOT223
19600
一站式BOM配单
询价
ON/安森美
23+
SOT-223
8080
正规渠道,只有原装!
询价
FSC进口原
24+
SOT-223
30980
原装现货/放心购买
询价
FAIRCHIL
23+
SOT-223
3000
原装正品假一罚百!可开增票!
询价