FQPF9N50C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，9 A，800 mΩ，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FQPF9N50C规格书详情
描述 Description
此类 N 沟道 MOSFET 增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的平面条纹 DMOS 专属工艺生产的。此先进技术特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于高效开关模式电源、功率因数校正、基于半桥的电子灯镇流器。
特性 Features
•9 A、500 V、RDS(on) = 800 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 4.5 A
•低栅极电荷（典型值 28 nC)
•低 Crss（典型值 24 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
技术参数
- 型号：
FQPF9N50C
- 功能描述：
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
24+ |
TO-220F |
2500 |
原装现货热卖 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220F |
65400 |
询价 | |||
FSC |
22+ |
TO-220 |
5000 |
全新原装现货!自家库存! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO220F |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-220F |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
FSC |
23+24 |
TO-220F |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
询价 | ||
仙童 |
05+ |
TO-220F |
4000 |
原装进口 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2410+ |
TO-220F |
50000 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 | ||
国产 |
16+ |
TO-220F |
8000 |
普通 |
询价 |
