FQT7N10数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQT7N10规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•1.7A, 100V, RDS(on)= 350mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.85A栅极电荷低（典型值：5.8nC)
•低 Crss（典型值10pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• LED 电视
技术参数
- 制造商编号
：FQT7N10
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：1.7
- PD Max (W)
：2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：350
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：5.8
- Ciss Typ (pF)
：190
- Package Type
：SOT-223-4/TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
2016+ |
SOT223 |
2200 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-223 |
100586 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/ON |
24+ |
NA/ |
23250 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
原装 |
20300 |
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FAIRCHILD |
21+ |
SOT223 |
10065 |
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23+ |
NA |
20094 |
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ON/安森美 |
25+ |
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ON |
21+ |
SOT223 |
20000 |
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FAIRCHILD |
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SOT-223 |
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