FQU13N06L中文资料功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,60 V,11 A,115 mΩ,IPAK数据手册ONSEMI规格书
FQU13N06L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•11A, 60V, RDS(on)= 115mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 5.5A栅极电荷低(典型值: 4.5nC)
•低 Crss(典型值 17pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
• 100% Avalanche Tested
应用 Application
• LED 电视
技术参数
- 制造商编号
:FQU13N06L
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:60
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:2.5
- ID Max (A)
:11
- PD Max (W)
:28
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:145
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:115
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:4.8
- Ciss Typ (pF)
:270
- Package Type
:IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO-251 |
2453 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-251 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
82000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
原装 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
原装特价FQU13N06L即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-251(IPAK) |
30000 |
只做正品原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-251 |
60000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
TO-251-3 |
12000 |
现货 |
询价 |