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FQU13N06L数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQU13N06L

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,60 V,11 A,115 mΩ,IPAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 12:55:00

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FQU13N06L规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性 Features

•11A, 60V, RDS(on)= 115mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 5.5A栅极电荷低(典型值: 4.5nC)
•低 Crss(典型值 17pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
• 100% Avalanche Tested

应用 Application

• LED 电视

技术参数

  • 制造商编号

    :FQU13N06L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :11

  • PD Max (W)

    :28

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :145

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :115

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4.8

  • Ciss Typ (pF)

    :270

  • Package Type

    :IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD

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