FQU12N20中文资料N 沟道 QFET® MOSFET 200V, 9.0A, 280mΩ数据手册ONSEMI规格书
FQU12N20规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及电子镇流器。.
特性 Features
•9A, 200V, RDS(on)= 280mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4.5A栅极电荷低（典型值：18nC)
•低 Crss（典型值18pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• LED 电视
技术参数
- 制造商编号
：FQU12N20
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：9
- PD Max (W)
：55
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：280
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：18
- Ciss Typ (pF)
：700
- Package Type
：IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
I-PAKTO-251 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO251 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
I-PAKTO-251 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
I-Pak(TO-251-3) |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-251 |
150 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRC |
2023+ |
TO-251(IPAK) |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
TO251 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
