FQT4N20L中文资料功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，0.85 A，1.4 Ω，SOT-223数据手册ONSEMI规格书
FQT4N20L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•0.85A, 200V, RDS(on)= 1.35Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.425A栅极电荷低（典型值：4nC)
•低 Crss（典型值6pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•低电平栅极驱动要求允许直接从逻辑驱动运行。
•Low level gate drive requirments allowingdirect operationfrom logic drives
应用 Application
• LED 电视
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQT4N20L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：0.85
- PD Max (W)
：2.2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：1400
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1350
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4
- Ciss Typ (pF)
：240
- Package Type
：SOT-223-4/TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
FSC |
NA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
24+ |
SOT-223 |
25000 |
一级专营品牌全新原装热卖 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT223 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
05+ |
原厂原装 |
44216 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
11+PBF |
SOT-223 |
56000 |
现货 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
16000 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
15+ |
SOT223 |
300 |
原装现货、真实库存 |
询价 | ||
FAIRCHIL |
25+ |
SOT223 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 |
