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FQT5P10数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQT5P10

功能描述

P 沟道,QFET® MOSFET,-100V,-1.0A,1.05Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 8:56:00

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FQT5P10规格书详情

描述 Description

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性 Features

•-1.0 A、-100 V、RDS(on)= 1.05 Ω(最大值),需 VGS = -10 V、ID = -0.5 A栅极电荷低(典型值:6.3nC)
•低 Crss(典型值18pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested

应用 Application

• 其他工业

技术参数

  • 制造商编号

    :FQT5P10

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-100

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :-4

  • ID Max (A)

    :-1

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1050

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :6.3

  • Ciss Typ (pF)

    :190

  • Package Type

    :SOT-223-4/TO-261-4

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