FQT5P10中文资料P 沟道，QFET® MOSFET，-100V，-1.0A，1.05Ω数据手册ONSEMI规格书
FQT5P10规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•-1.0 A、-100 V、RDS(on)= 1.05 Ω（最大值），需 VGS = -10 V、ID = -0.5 A栅极电荷低（典型值：6.3nC)
•低 Crss（典型值18pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQT5P10
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-100
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-1
- PD Max (W)
：2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1050
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：6.3
- Ciss Typ (pF)
：190
- Package Type
：SOT-223-4/TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VB |
25+ |
SOT223-3 |
18578 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
SOT-223 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
4289 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
SOT223 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHI |
21+ |
SOT-223 |
4000 |
绝对有现货,不止网上数量!原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRC |
12+ |
SOT-223 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
询价 | ||
VBsemi(台湾微碧) |
2447 |
SOT223 |
105000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 |
