FQU13N06L技术资料参数供应价格仙童半导体-114ic电子网

首页 >FQU13N06L>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
FQU13N06L	文件：916.61 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 60 V, 11 A, 115 m廓 Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：916.61 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQU13N06L	文件：916.61 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：916.61 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQU13N06L	文件：331.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.115Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：331.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQU13N06L	文件：653.59 Kbytes Page：9 Pages	60V LOGIC N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withst 文件：653.59 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQU13N06L	文件：996.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：996.12 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
FQU13N06LTU	文件：916.61 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：916.61 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQU13N06L_09	文件：739.25 Kbytes Page：9 Pages	60V LOGIC N-Channel MOSFET 文件：739.25 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQU13N06L	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，11 A，115 mΩ，IPAK 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •11A, 60V, RDS(on)= 115mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 5.5A栅极电荷低（典型值： 4.5nC)\n•低 Crss（典型值 17pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n• 100% Avalanche Tested;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
11
PD Max (W)：
28
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
145
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
115
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
4.8
Ciss Typ (pF)：
270
Package Type：
IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQU13N06L	原装	25+	TO-252	20300	原装特价FQU13N06L即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市一线半导体有限公司	FQU13N06L	FAIRCHIL	24+	TO-251	8866		询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	FQU13N06L	VBsemi(台湾微碧)	2447	TO-251	105000	80个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	FQU13N06L	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO-251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	FQU13N06L	FAIRCHILD/仙童	2022+	TO-251	42591	原厂代理终端免费提供样品	询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司	FQU13N06L	FSC	26+	TO-2632L(D2PAK)	86720	全新原装正品价格最实惠假一赔百	询价
深圳市威雅利发展有限公司	FQU13N06L	FAIRCHI	14+	TO-251	50	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	FQU13N06L	FAIRCHILD/仙童	22+	TO-251	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	FQU13N06L	ON	2022+	IPAK-3 / DPAK-3 STRAIGHT LEAD	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳庞田科技有限公司	FQU13N06L	FAIRCHILD	2023+环保现货	TO-251(IPAK)	20000	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价

更多FQU13N06L供应商更新时间2026-1-29 14:14:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号