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FQU13N06LTU

N-Channel QFET짰 MOSFET

Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av

文件:916.61 Kbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQU13N06TU

N-Channel QFET MOSFET 60 V, 10 A, 140 m

文件:803.8 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

KSM13N06

Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON)

文件:641.84 Kbytes 页数:4 Pages

KERSEMI

KSM13N06L

60V LOGIC N-Channel MOSFET

文件:1.7533 Mbytes 页数:6 Pages

KERSEMI

详细参数

  • 型号:

    FQU13N06LTU

  • 功能描述:

    MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FQU13N06LTU供应商 更新时间2026-2-1 14:14:00