Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 500 V, 2.6 A, 2.7 Ω, IPAK

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •2.6A, 500V, RDS(on)= 2.7Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.3A栅极电荷低（典型值：10nC)\n•低 Crss（典型值6.0pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n• 100% Avalanche Tested;

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N 沟道 QFET® MOSFET 500V，2.6A，2.7Ω

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 • 2.6A, 500V, RDS(on) = 2.7Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.3A栅极电荷低（典型值：10nC)\r\n• 低 Crss（典型值6.0pF)\r\n• 100% 经过雪崩击穿测试\r\n• 100% Avalanche Tested;

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500V N-Channel MOSFET

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