FQU13N10L中文资料功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，100 V，10 A，180 mΩ，IPAK数据手册ONSEMI规格书
FQU13N10L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•10A, 100V, RDS(on)= 180mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 5A栅极电荷低（典型值：9.5nC)
•低 Crss（典型值35pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
• 100% Avalanche Tested
• Low Level Gate Drive Requirement Allowing Direct Operation From Logic Drivers
应用 Application
• LED 电视
技术参数
- 制造商编号
：FQU13N10L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：10
- PD Max (W)
：40
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：200
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：180
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8.7
- Ciss Typ (pF)
：400
- Package Type
：IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
TO-251 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
仙童 |
05+ |
TO-251 |
5000 |
原装进口 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
5040 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
I-PAKTO-251 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
TO-251 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO251 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-251 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAI |
2023+ |
TO-251 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-251(IPAK) |
30000 |
只做正品原装现货 |
询价 |
