FQU1N60C数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQU1N60C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•1A, 600V, RDS(on)= 11.5Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.5A栅极电荷低（典型值：4.8nC)
•低 Crss（典型值3.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
• RoHS Compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQU1N60C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：1
- PD Max (W)
：28
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：11500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：6
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4.8
- Ciss Typ (pF)
：130
- Package Type
：IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
国产替代 |
2012 |
TO251-3 |
50000 |
全新原装进口自己库存优势 |
询价 | ||
FSC |
18+ |
TO-251 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
24+ |
TO251 |
9860 |
原装现货/放心购买 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO251 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
395956 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-251 |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
询价 | ||
FAIRCHI |
21+ |
TO-251 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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FSC |
2015+ |
TO251 |
19898 |
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FAIRCHIL |
24+ |
TO-251 |
8866 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
21+ |
TO-251 |
215 |
原装现货假一赔十 |
询价 |
