FQU20N06L中文资料功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，17.2 A，42 mΩ，IPAK数据手册ONSEMI规格书
FQU20N06L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•17.2A, 60V, RDS(on)= 42mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 8.6A栅极电荷低（典型值：9.5nC)
•低 Crss（典型值35pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQU20N06L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2.5
- ID Max (A)
：17.2
- PD Max (W)
：38
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：75
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：60
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：9.5
- Ciss Typ (pF)
：480
- Package Type
：IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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