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FQB2N90	文件：759.72 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET Features •2.2A,900V,RDS(on)=7.2Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical12nC) •LowCrss(typical5.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB2N90	文件：765.33 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB2N90TM	文件：765.33 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2N90	文件：186.37 Kbytes Page：6 Pages	2Amps,900VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N90	文件：68.03 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=2A@TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2N90	文件：203.7 Kbytes Page：6 Pages	2A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N90G-TND-R	文件：271.07 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N90L-TND-R	文件：271.07 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N90Z	文件：230.14 Kbytes Page：6 Pages	2A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
FIR2N90BLG	文件：3.35229 Mbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR2N90BPG	文件：3.35229 Mbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR2N90FG	文件：2.07305 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FQD2N90	文件：1.29789 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET900V,1.7A,7.2廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD2N90	文件：1.29789 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD2N90	文件：750.31 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD2N90	文件：305.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQD2N90TF	文件：1.29789 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET900V,1.7A,7.2廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD2N90TM	文件：1.29789 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI2N90	文件：759.72 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET Features •2.2A,900V,RDS(on)=7.2Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical12nC) •LowCrss(typical5.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI2N90	文件：765.33 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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详细参数

型号：
FQB2N90
功能描述：
MOSFET 900V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQB2N90供应商更新时间2024-4-27 15:30:00

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