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FQB3N90	文件：697.22 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：697.22 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQB3N90	文件：300 bytes Page：1 Pages	900V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQI3N90	文件：697.22 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：697.22 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
FQB3N90
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
900V N-Channel MOSFET

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