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FQB2N60	文件：580.92 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：580.92 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQB2N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQD2N60	文件：561.14 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：561.14 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD2N60	文件：863.86 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：863.86 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD2N60	文件：568.53 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：568.53 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
FQB2N60
功能描述：
MOSFET 600V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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