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FQB2N30	文件：746.5 Kbytes Page：9 Pages	300V N-Channel MOSFET Features • 2.1A, 300V, RDS(on) = 3.7Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 3.7 nC) • Low Crss ( typical 3.0 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability 文件：746.5 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQB2N30	文件：300 bytes Page：1 Pages	300V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQD2N30	文件：732.82 Kbytes Page：9 Pages	300V N-Channel MOSFET 文件：732.82 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD2N30	文件：304.86 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=1.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =3.7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：304.86 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQI2N30	文件：746.5 Kbytes Page：9 Pages	300V N-Channel MOSFET Features • 2.1A, 300V, RDS(on) = 3.7Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 3.7 nC) • Low Crss ( typical 3.0 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability 文件：746.5 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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