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FQB15P12	文件：333.09 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=-11.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=-100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.29Ω(Max)@VGS= -10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：333.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQB15P12	文件：652.3 Kbytes Page：9 Pages	120V P-Channel MOSFET 文件：652.3 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB15P12	文件：300 bytes Page：1 Pages	120V P-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQI15P12	文件：652.3 Kbytes Page：9 Pages	120V P-Channel MOSFET 文件：652.3 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP15P12	文件：852.56 Kbytes Page：10 Pages	120V P-Channel MOSFET 文件：852.56 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF15P12	文件：852.56 Kbytes Page：10 Pages	120V P-Channel MOSFET 文件：852.56 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

更多FQB15P12供应商更新时间2025-10-11 15:14:00