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FMMT591	文件：1.1118 Mbytes Page：2 Pages	丝印：591；Package：SOT-23；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High saturation voltage. ● Complementary To FMMT491. ● Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS ● Switching appilication. 文件：1.1118 Mbytes 页数：2 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
FMMT591	文件：790.83 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features Low VCE(sat),. Complementary pair with FMMT491. Applications Medium power amplifier applications. 文件：790.83 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
FMMT591	文件：2.19348 Mbytes Page：4 Pages	丝印：591；Package：SOT-23；PNP Transistor 文件：2.19348 Mbytes 页数：4 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
FMMT591	文件：318.52 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) 文件：318.52 Kbytes 页数：3 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
FMMT591	文件：211.36 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：211.36 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
FMMT591	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 60V, 1A, SOT23 Medium power planar PNP bipolar transistor.\n\n\t\t\t\t\t\t\n\n\t\t\t\t\t\t\n\n\t\t\t\t\t\t\n\n\n\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\n\t\t\t\n\n\n\n\n\t\t\t\n\t\t\t\t\n\t\t\t\tProduct Specifications	Diodes 美台半导体	Diodes
FMMT591A	文件：155.59 Kbytes Page：4 Pages	SOT23 PNP silicon planar medium power transistor Features • BVCEO > -40V • IC = -1A High Continuous Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：155.59 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591A	文件：141.98 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES Low equivalent on resistance RCE(sat) = 350mΩ at 1A PART MARKING DETAIL - 91A COMPLEMENTARY TYPE - FMMT491A 文件：141.98 Kbytes 页数：2 Pages	Zetex	Zetex
FMMT591A	文件：155.59 Kbytes Page：4 Pages	SOT23 PNP silicon planar medium power transistor Features • BVCEO > -40V • IC = -1A High Continuous Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：155.59 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591ATA	文件：155.59 Kbytes Page：4 Pages	SOT23 PNP silicon planar medium power transistor Features • BVCEO > -40V • IC = -1A High Continuous Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：155.59 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
FMMT591Q
Product Type：
PNP
IC (A)：
1 A
ICM (A)：
2 A
PD (W)：
0.5 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
0.5 A
hFE(Min 2)：
80
hFE(@ IC2)：
1 A
VCE (SAT)Max (mV)：
180 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.5/50
VCE (SAT)(Max.2)：
350 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
1/100
fT (MHz)：
150 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT23

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