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FMMT591ATC	文件：342.3 Kbytes Page：7 Pages	40V PNP MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT23 Features • BVCEO > -40V • IC = -1A High Continuous Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：342.3 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591Q	文件：470.47 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) has been designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > -60V • IC = -1A High Continuous Collector Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • RSAT = 295mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • hFE Cha 文件：470.47 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591QTA	文件：470.47 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) has been designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > -60V • IC = -1A High Continuous Collector Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • RSAT = 295mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • hFE Cha 文件：470.47 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591TA	文件：476.51 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Features • BVCEO > -60V • IC = -1A High Continuous Collector Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Rsat = 295mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • hFE characterised up to -2A for High Current Gain Hold Up • Complementary NPN Type: FMMT491 • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant 文件：476.51 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591TA	文件：298.08 Kbytes Page：8 Pages	Medium power PNP transistor in SOT23 Features • BVCEO > -60V • IC = -1A High Continuous Collector Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Rsat = 295mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • hFE characterised up to -2A for High Current Gain Hold Up • Complementary NPN Type: FMMT491 • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant 文件：298.08 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591TC	文件：476.51 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Features • BVCEO > -60V • IC = -1A High Continuous Collector Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Rsat = 295mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • hFE characterised up to -2A for High Current Gain Hold Up • Complementary NPN Type: FMMT491 • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant 文件：476.51 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591_13	文件：262.49 Kbytes Page：3 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistor 文件：262.49 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
FMMT591_14	文件：211.36 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：211.36 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
FMMT591_15	文件：476.51 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 文件：476.51 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591A_15	文件：342.3 Kbytes Page：7 Pages	40V PNP MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT23 文件：342.3 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
FMMT591Q
Product Type：
PNP
IC (A)：
1 A
ICM (A)：
2 A
PD (W)：
0.5 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
0.5 A
hFE(Min 2)：
80
hFE(@ IC2)：
1 A
VCE (SAT)Max (mV)：
180 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.5/50
VCE (SAT)(Max.2)：
350 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
1/100
fT (MHz)：
150 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT23

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