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FMMT591	文件：130.19 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES * Low Equivalent on resistance RCE(sat)=355mΩ at 1A* COMPLEMENTARY TYPE- FMMT491 PARTMARKING DETAIL - 591 文件：130.19 Kbytes 页数：2 Pages	Zetex	Zetex
FMMT591	文件：298.08 Kbytes Page：8 Pages	Medium power PNP transistor in SOT23 Features • BVCEO > -60V • IC = -1A High Continuous Collector Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Rsat = 295mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • hFE characterised up to -2A for High Current Gain Hold Up • Complementary NPN Type: FMMT491 • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant 文件：298.08 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591	文件：476.51 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Features • BVCEO > -60V • IC = -1A High Continuous Collector Current • ICM = -2A Peak Pulse Current • Rsat = 295mΩ for a Low Equivalent On-Resistance • hFE characterised up to -2A for High Current Gain Hold Up • Complementary NPN Type: FMMT491 • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant 文件：476.51 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT591	文件：250.88 Kbytes Page：4 Pages	NPN Switching Transistor FEATURES Power dissipation PCM: 0.5 W (Tamb=25℃) Collector current I CM: -1 A Collector-base voltage V (BR)CBO: -80 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：250.88 Kbytes 页数：4 Pages	FCI 富加宜	FCI
FMMT591	文件：244.23 Kbytes Page：3 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistor Features • Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix -HF • Moisture Sensitivity Level 1 • Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Maximum Ratings @ 25°C Unless Otherwise Specified 文件：244.23 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
FMMT591	文件：239.54 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistor PNP Silicon General Purpose Transistor PNP Silicon P/b Lead(Pb)-Free 文件：239.54 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
FMMT591	文件：244.65 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High saturation voltage. ● Complementary To FMMT491. ● Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS ● Switching appilication. 文件：244.65 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
FMMT591	文件：166.44 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low equivalent on-resistance 文件：166.44 Kbytes 页数：2 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
FMMT591	文件：434.99 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Low equivalent on-resistance 文件：434.99 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
FMMT591	文件：35.39 Kbytes Page：1 Pages	Medium Power Transistor Features ● Low equivalent on-resistance. 文件：35.39 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
FMMT591Q
Product Type：
PNP
IC (A)：
1 A
ICM (A)：
2 A
PD (W)：
0.5 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
0.5 A
hFE(Min 2)：
80
hFE(@ IC2)：
1 A
VCE (SAT)Max (mV)：
180 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.5/50
VCE (SAT)(Max.2)：
350 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
1/100
fT (MHz)：
150 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT23

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