FGH60N60UFD中文资料IGBT，650V，20A，1.8V，TO-247，低 VCE(ON)，场截止数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

飞兆半导体的场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

特性 Features

•高电流能力
•低饱和电压： VCE(sat) = 1.9V @ IC = 60A
•高输入阻抗
•快速开关： EOFF =14uJ/A
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 发电和配电

简介

FGH60N60UFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGH60N60UFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。