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FGH60N60UFD	文件：767.23 Kbytes Page：9 Pages	600V, 60A Field Stop IGBT General Description Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild’s new series of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Induction Heating, UPS, SMPS and PFC applications where low conduc tion and switching losses are essential. Features • High current capability • 文件：767.23 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGH60N60UFD	文件：369.33 Kbytes Page：3 Pages	Field Stop IGBT DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.4V@IC= 60A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Switching APPLICATIONS ·Induction Heating,UPS ·AC & DC motor controls and general purpose inverters 文件：369.33 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FGH60N60UFDTU	文件：767.23 Kbytes Page：9 Pages	600V, 60A Field Stop IGBT General Description Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild’s new series of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Induction Heating, UPS, SMPS and PFC applications where low conduc tion and switching losses are essential. Features • High current capability • 文件：767.23 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGH60N60UFD	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT，650V，20A，1.8V，TO-247，低 VCE(ON)，场截止飞兆半导体的场截止 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。 •高电流能力\n•低饱和电压： VCE(sat) = 1.9V @ IC = 60A\n•高输入阻抗\n•快速开关： EOFF =14uJ/A\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGH60N60UFDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 120A 298W TO247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGH60N60UFDTU-F085	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 120A 298W TO247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
V(BR)CES Typ (V)：
600
IC Max (A)：
60
VCE(sat) Typ (V)：
1.8
VF Typ (V)：
1.7
Eoff Typ (mJ)：
0.81
Eon Typ (mJ)：
2.47
Trr Typ (ns)：
47
Gate Charge Typ (nC)：
192
PD Max (W)：
298
Co-Packaged Diode：
Yes
Package Type：
TO-247-3

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